可关断晶闸管,申请号CN95116824.X-传众专利搜索

可关断晶闸管

申请公布号：CN1040266C

申请号：CN95116824.X

申请日期：1995.09.01

申请公布日期：1998.10.14

申请人：

亚瑞亚.勃朗勃威力有限公司

发明人：Ｆ·鲍尔;Ｓ·艾兴尔

分类号：H01L29/745

主分类号：H01L29/745

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：杜有文;王忠忠

地址：瑞士巴登

摘要：本发明提出一种ＧＴＯ，此种ＧＴＯ从阳极一侧主平面（２）起包括一个阳极发射区（６）、一个抑止层（１１）、一个ｎ－基区（７）、一个Ｐ－基区（８）和一个阴极发射区（９）。阳极发射区（６）制成透明发射区并且具有阳极短路区（１０）。借助抑止层、透明阳极发射区和阳极短路区的组合得到一种ＧＴＯ，它可以在较高的开关频率下工作，其基片厚度可以减小而其开关损耗并不增加。

主权项：1.可关断晶闸管包括：a)在第一个主平面(1)和第二个主平面(2)之间有一定数量不同掺杂的半导体层(6-9)；b)在第二主平面(2)上有阳极电极(3)以及在第一主平面(1)上有阴极电极(4)和控制电极(5)；其中c)从第二个主平面(2)看，半导体层(6-9)包括一个P+掺杂的阳极发射区(6)、一个n掺杂的n-基区(7)和一个P掺杂的P-基区(8)，其中阳极发射区(6)与阳极电极(3)电接触，P-基区(8)与控制电极(5)电接触，并且让n+掺杂的阴极发射区(9)进入P-基区(8)且阴极发射区(9)与阴极电极(4)电接触；e)阳极发射区(6)夹杂着n+掺杂的阳极短路区(10)，并且f)在n-基区(7)与阳极发射区(6)之间设置一个n掺杂的抑止层(11)，其特征在于：d)阳极发射区(6)制成透明发射区。