具有高发光效率的半导体发光器件,申请号CN97108578.1-传众专利搜索

具有高发光效率的半导体发光器件

申请公布号：CN1185663A

申请号：CN97108578.1

申请日期：1997.12.20

申请公布日期：1998.06.24

申请人：

夏普公司

发明人：中津弘志

分类号：H01L33/00

主分类号：H01L33/00

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：马莹

地址：日本大阪府

摘要：一种半导体发光器件,其中以与半导体衬底1晶格失配的状态在半导体衬底1上形成发光层4,由此获得高效率发光。采用起发光复合中心作用的杂质对用做发光层基本材料的半导体材料掺杂。半导体衬底是GaP衬底1,用做发光层4基本材料的半导体材料是(AlXGa1-X)1-yInyP。采用作为形成施主能级的第一杂质的氮、氧、硒、硫或碲,和作为形成受主能级的第二杂质的镁、锌或镉,对此(AlXGa1-X)1-yInyP材料掺杂。

主权项：1.一种半导体发光器件，其中，以与半导体衬底(1、11)晶格失配的状态，在半导体衬底(1、11)上形成发光层(4、14)，发光层(4、14)所发波长的光基本不被半导体衬底(1、11)吸收，其特征在于，采用起发光复合中心作用的至少一种杂质对用做发光层基本材料的半导体材料掺杂。