FORMING OF ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

申请公布号：JPH06120163(A)

申请号：JP19920332139

申请日期：1992.09.30

申请公布日期：1994.04.28

申请人：

VICTOR CO OF JAPAN LTD

发明人：YATANI MITSUYOSHI

分类号：H01L21/28;H01L33/30;H01L33/40;H01S5/00

主分类号：H01L21/28

摘要：PURPOSE:To obtain good ohmic characteristics as well as deposit characteristics in the forming of an ohmic contact electrode on the surface of a crystal comprising III-V compound semiconductors including Al by treating the crystal surface by sputtering in a vacuum device and eliminating oxides. CONSTITUTION:Ga on the surface of a GaAlAs layer, which is formed on top of a semiconductor insulating substrate 1 comprising GaAs, is first removed, and an oxide formed on the surface of the GaAlAs layer 2 is removed by reverse sputtering in normal high frequency in a vacuum device. Next, N side electrode 8 is formed by normal sputtering. For electrode material, any materials will suffice so long as it provides ohmic contact for GaAlAs of the N type. In this instant, after reverse sputtering, by sputtering the next electrode material in the same vacuum device, the GaAlAs surface which has been exposed during the sputtering can form an electrode material on a clean surface without being in touch with the oxidation atmosphere. Subsequently, it is subjected to a few minutes of heat treatment in a nitrogen atmosphere.

MISCELA PRECONFEZIONATA, COSTITUITA DA ARGILLA ESPANSA, ALLO STATO NATURALE DI PRODUZIONE O MACINATA, DA CEMENTO, DA ADDITIVI ED, EVENTUALMENTE, DA CALCARI MACINATI, E/O DA TERRE REFRATTARIE E/O DA ARGILLE COTTE MACINATE, CON FUNZIONE DI INERTI, PER LA PRODUZIONE DI MALTE TERMOISOLANTI SECCHE

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