METHOD OF HG DIFFUSION INTO SEMICONDUCTOR CRYSTAL

申请公布号：GB9213784(D0)

申请号：GB19920013784

申请日期：1992.06.29

申请公布日期：1992.08.12

申请人：

MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA

分类号：H01L31/0264;H01L21/385;H01L31/0296;H01L31/10;H01L31/103;H01L31/18

主分类号：H01L31/0264

摘要：A method of diffusing mercury into a crystalline compound semiconductor film including mercury includes forming an amalgam on a region of the semiconductor film into which mercury is to be diffused, forminq a protective film on the amalgam, and annealing, whereby mercury from the amalgam diffuses into the semiconductor film and the protective film prevents the mercury from escaping. Therefore, a complicated temperature profile is not required and the mercury diffusion is carried out without sealing the semiconductor film in a quartz tube. As a result, the instruments and materials used in the diffusion process are easily handled and the diffusion of mercury into a large-sized semiconductor film is possible.

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