ETCHING METHOD FOR OBTAINING AT LEAST ONE CAVITY IN A SUBSTRATE AND SUBSTRATE OBTAINED BY SUCH METHOD.,申请号EP19910906200-传众专利搜索

ETCHING METHOD FOR OBTAINING AT LEAST ONE CAVITY IN A SUBSTRATE AND SUBSTRATE OBTAINED BY SUCH METHOD.

申请公布号：EP0472702(A1)

申请号：EP19910906200

申请日期：1991.03.07

申请公布日期：1992.03.04

申请人：

WESTONBRIDGE INTERNATIONAL LIMITED;VAN LINTEL, HARALD T. G.

发明人：VAN LINTEL, HARALD, T., G.

分类号：H01H1/00;H01L21/306;H01L21/308

主分类号：H01H1/00

摘要：On forme des cavités à fond plat dans un substrat (2) au moyen d'un procédé comprenant deux étapes d'attaque: une première attaque anisotropique par masque (4) laissant exposées des bandes (6, 8) sur le substrat (2) et une deuxième attaque anisotropique au moyen d'un masque laissant exposées toutes les zones (Z1, Z2) à graver. La première attaque produit des rainures en forme de V (10, 12), leur profondeur (x1, x2) dépendant de la largeur des bandes, tandis que la deuxième attaque augmente la profondeur des cavités de la même quantité y, en éliminant les bandes situées entre les rainures. Avantage: on peut obtenir simultanément des cavités plates de profondeurs différentes.