MANUFACTURE OF MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

申请公布号：JPS61130438(A)

申请号：JP19840253497

申请日期：1984.11.29

申请公布日期：1986.06.18

申请人：

SUMITOMO ELECTRIC IND LTD

发明人：KUROISHI ATSUSHI;AKECHI KIYOAKI;ITO YOSHIAKI;KOTANI YUSUKE

分类号：B22F1/00;B22F3/20;C22C1/04;C22C1/05;C22C21/02;H01L23/02;H01L23/04;H01L23/12;H01L23/14

主分类号：B22F1/00

摘要：PURPOSE:To obtain material having low thermal expansion coefft. and superior mechanical workability and strength, by dispersing Si powder uniformly into Al matrix by mechanical alloying method, then hot working said body plastically. CONSTITUTION:Si powder is dispersed into Al matrix uniformly to 30-50wt% Si by using mechanical alloying method. As Si powder, that having 0.3-50mu particle diameter favorably, is used. The Al-Si alloy composited body is formed to a prescribed shape, by plastic hot working method such as vacuum extrusion. By the method, the lightweight titled material satisfying characteristic required in both of heat radiation property and thermal expansion coefft. difference is obtd.

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