(B1) ;METHOD OF MASKING MONOCRYSTALLINE SILICIUM WAFERS FORMING A SUBSTRATE OF SILICIUM EPITAXIAL LAYERS

申请公布号：PL231265(A1)

申请号：PL19810231265

申请日期：1981.05.20

申请公布日期：1982.11.22

申请人：

INST TECH ELEKTRONOWEJ

发明人：KOTRASINSKI WLADYSLAW;JAGODZINSKI PAWEL;BUDZYNSKI TADEUSZ

分类号：H01L;H01L21/314;(IPC1-7):H01L/

主分类号：H01L

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