A1N MASKING FOR SELECTIVE ETCHING OF SAPPHIRE

申请公布号：CA1065746(A)

申请号：CA19760268799

申请日期：1976.12.29

申请公布日期：1979.11.06

申请人：

INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人：RUTZ, RICHARD F.

分类号：H05K3/46;C01F7/02;C01F7/16;C04B41/53;C04B41/91;C09K13/00;C23F1/00;G01D15/18;(IPC1-7):29C17/08;23F1/02

主分类号：H05K3/46

摘要：<p>AlN MASKING FOR SELECTIVE ETCHING OF SAPPHIRE A method is disclosed for forming holes and depressions in aluminum oxide, including its sapphire form and spinels by etching using AlN as a maskant. This method is featured by the epitaxial deposition of an AlN film on a sapphire body, for instance. The AlN film is etched in a predetermined pattern and heat treated. The etchants used may be either H2 or molten Al which will selectively attack the sapphire substrate in the regions exposed by the AlN mask.</p>

BELUEFTUNGSEINRICHTUNG.

WAERMEAUSTAUSCHER ALS EINSPRITZVERDAMPFER FUER EINE KAELTEMASCHINE.

EPOXYDHARZZUSAMMENSETZUNG.

SCHEIBENBEREICHSSCHALTUNGSINTEGRIERTER SPEICHER.

FREMGANGSMAATE OG ANORDNING FOR BEHANDLING AV EPILEPSI

FREMGANGSMAATE OG ANORDNING FOR BEHANDLING AV EPILEPSI

FLAGGBLAASER

LIGHT INTERFERENCE ANGULAR VELOCITY METER

INVERTER CONTROLLER FOR AIR CONDITIONER

DIFFUSOR.

GASTURBINENMOTOR.

PLATE SHELF FOR SHOW CASE

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KRISTALLINER TACS

KATALYSATORZUSAMMENSETZUNG.

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON 2,3,5-TRIMETHYLBENZOCHINON.

FILTER FUER HOT-MELT-KLEBER.

VERFAHREN ZUR PARAMETEROPTIMALEN EINSTELLUNG EINES, DURCH STRUKTUROPTIMALE ANPASSUNG DES REGLERS AN DIE REGELSTRECKE, VERWENDETEN PI-REGLERS FUER ANTRIEBE MIT DREHELASTISCHER MECHANIK

WAESSERIGE EMULSION

VERFAHREN ZUM REINIGEN VON KONTAKTOBERFLAECHEN

FUNGIZIDE MITTEL