ELECTRICALLY ERASABLE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY THAT PERMITS DATA OUT DESPITE THE OCCURRENCE OF OVER-ERASED MEMORY CELLS

申请公布号：KR960005356(B1)

申请号：KR19940001685

申请日期：1994.01.31

申请公布日期：1996.04.24

申请人：

FUJITSU K.K.

发明人：DAKEGUCHI, DETSUJI

分类号：G11C16/04;G11C16/08;G11C16/16;(IPC1-7):G11C16/00

主分类号：G11C16/04

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