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一种浪涌保护器

申请公布号:CN103427409B

申请号:CN201310362794.1

申请日期:2013.08.20

申请公布日期:2016.05.25

申请人:
浙江明德微电子股份有限公司

发明人:邓爱民;张文成;谢晓东

分类号:H02H9/04(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I

主分类号:H02H9/04(2006.01)I

代理机构:
绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220

代理人:蒋卫东

地址:312000 浙江省绍兴市绍兴经济开发区龙山软件园

摘要:本发明公开一种浪涌保护器,属于半导体器件领域,包括塑封体、上框架、下框架,以及焊接在上框架和下框架上的二极管芯片,上述上框架和下框架成对组合封装,一部分外露在塑封体外,形成引线端子,另一部分封装在塑封体内,用于焊接二极管芯片;所述二极管芯片包括一颗高压二极管芯片和一颗瞬态电压抑制二极管芯片,两颗芯片水平排列封装或叠加串联封装。上述浪涌保护器采用双芯片集成封装,使用器件数量少、占位面积小,而且可靠性高、功耗低。

主权项:一种浪涌保护器,其特征在于:包括塑封体、上框架、下框架,以及焊接在上框架和下框架上的二极管芯片,上述上框架和下框架成对组合封装,一部分外露在塑封体外,形成引线端子,另一部分封装在塑封体内,用于焊接二极管芯片;所述二极管芯片包括一颗高压二极管芯片和一颗瞬态电压抑制二极管芯片;所述浪涌保护器包括2组上框架和下框架,形成4个引线端子,一组上框架和下框架之间焊接高压二极管芯片,另一组上框架和下框架之间焊接瞬态电压抑制二极管芯片,上述两颗芯片水平排列封装,互不相连。

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