半导体器件的制作方法,申请号CN201310681725.7-传众专利搜索

半导体器件的制作方法

申请公布号：CN104716029A

申请号：CN201310681725.7

申请日期：2013.12.12

申请公布日期：2015.06.17

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明人：蒋莉

分类号：H01L21/28(2006.01)I

主分类号：H01L21/28(2006.01)I

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：高伟;付伟佳

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有钨栅极结构，所述钨栅极结构由层间介电层包围；b）回刻蚀所述钨栅极结构的一部分，以在所述钨栅极结构的上方形成凹槽；c）在所述层间介电层上和所述凹槽内形成帽层，所述帽层填满所述凹槽；d）在所述帽层上形成保护层；以及e）采用化学机械抛光去除所述保护层和所述凹槽以外的帽层。本发明提供的方法通过形成保护层，可以保护帽层，避免在化学机械抛光过程中帽层与钨栅极结构分层。

主权项：一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有钨栅极结构，所述钨栅极结构由层间介电层包围；b）回刻蚀所述钨栅极结构的一部分，以在所述钨栅极结构的上方形成凹槽；c）在所述层间介电层上和所述凹槽内形成帽层，所述帽层填满所述凹槽；d）在所述帽层上形成保护层；以及e）采用化学机械抛光去除所述保护层和所述凹槽以外的帽层。