一种用于互连的气隙结构及其制造方法,申请号TW097132602-传众专利搜索

一种用于互连的气隙结构及其制造方法

申请公布号：TWI470736

申请号：TW097132602

申请日期：2008.08.26

申请公布日期：2015.01.21

申请人：

和舰科技（苏州）有限公司中国

发明人：李秋德

分类号：H01L21/764;H01L21/76

主分类号：H01L21/764

代理人：吴磺庆台北市松山区南京东路3段248号8楼之1

地址：中国

摘要：本发明提出了一种用于互连的气隙结构，包括：依次排列的蚀刻终止层、填充层和第二覆盖层，填充层为相互不连通的多个通孔和沟槽结构，通孔和沟槽结构中填充有填充物，上述填充层之间具有气隙部。本发明的有益效果在于气体的介电常数较佳，远小于我们通常用的k约为2.5的材料，从而显着减小RC延迟，并且提高运行速度。通过该方法制造的气隙结构的泄漏通路较小，可以增加器件中金属线的可靠性，并提升半导体器件的品质。

主权项：一种用于互连的气隙结构，其包括：依次排列的蚀刻终止层、填充层和第二覆盖层，填充层为相互不连通的多个通孔和沟槽结构，通孔和沟槽结构中填充有填充物，该等填充层之间具有气隙部，该第二覆盖层为多孔覆盖层；该气隙结构还包括蚀刻终止层下方依次排列的第一金属层、第一覆盖层和第一介电层，通孔和沟槽结构延伸至第一金属层，气隙部延伸至第二覆盖层中。