铁铂纳米团簇磁记录媒体,申请号CN201110324437.7-传众专利搜索

铁铂纳米团簇磁记录媒体

申请公布号：CN103065646B

申请号：CN201110324437.7

申请日期：2011.10.24

申请公布日期：2014.12.10

申请人：

江苏海纳纳米技术开发有限公司

发明人：徐永兵;杨阳

分类号：G11B5/62(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I

主分类号：G11B5/62(2006.01)I

代理机构：

南京众联专利代理有限公司 32206

代理人：杜静静

地址：226009 江苏省南通经济技术开发区通盛大道188号B栋4层

摘要：本发明是一种通过结合纳米孔阳极氧化铝模版的纳米压印刻蚀，把氧化铝模版的结构传印到铁铂薄膜而形成具有超高密度的铁铂纳米点阵磁数据信息存储媒体的技术。此铁铂纳米点阵磁存储媒体的数据信息存储密度(在500Gb/in2到5Tb/in2之间)，取决于纳米孔阳极氧化铝模版的孔径尺寸(从100纳米到10纳米)。具体讲，使用25纳米的孔尺寸的模版，铁铂纳米点阵磁记录媒体数据信息存储为1Tb(1012)/in2。

主权项：一种铁铂纳米点阵磁数据存储媒体，其特征在于，所述铁铂纳米点阵磁数据存储媒体的制备方法为：通过将纳米孔阳极氧化铝模版（以下简称模版）的纳米结构传印至光刻胶之上，并将光刻胶上的纳米结构采用反应离子束刻蚀的加工方式传印至铁铂薄膜之上，进而加工出高密度的铁铂纳米点阵磁存储媒体；所述铁铂薄膜的厚度为10纳米；上述制备方法中，将模板的纳米结构传印至光刻胶之上的具体方法为：将模版倒置在光刻胶上，然后对衬底、铁铂薄膜、光刻胶以及模版同时加热，加热温度控制在高于光刻胶的玻璃相变温度；随后将模版、薄膜以及被传印的光刻胶整体冷却到玻璃相变温度以下。